IGBT tranzistori G50T65D, 650V, 50A, 280Vt, TO-3P, 1 dona

• Turi: IGBT tranzistori

• Ishlab chiqaruvchi: WXDH

• Maksimal kuchlanish (V_CE): 650 V

• Maksimal kollektor toki (I_C): 50 A

• Issiqlik tarqalish quvvati: 280 Vt

• Korpus turi: TO-3P

• Og‘irligi: 7 g

• Miqdori: 1 dona

• Qo‘llanilishi: payvandlash invertorlari, impulsli quvvat manbalari, konvertorlar

• WXDH ishlab chiqaruvchisining G50T65D IGBT tranzistori yuqori kuchlanish va yuqori tokli qurilmalarda qo‘llash uchun mo‘ljallangan. U 650V kuchlanish va 50A tokda ishlay oladi hamda impulsli quvvat manbalari, payvandlash invertorlari va boshqa kuchli qurilmalarda barqaror ishlashni ta’minlaydi. TO-3P korpusi yaxshi issiqlik tarqatishni kafolatlaydi. Og‘irligi atigi 7 gramm, dissipatsiya quvvati esa 280 Vt bo‘lib, bu tranzistorni yuklama ostida ishlovchi tizimlar uchun ideal qiladi.