Toshiba kompaniyasining GT50JR22 IGBT tranzistori induksion pechlar va kuchli invertorlar uchun juda qulay. TO-3 korpusda joylashgan ushbu tranzistor ichida IGBT va teskari diod birlashtirilgan. 600V kuchlanish va 50A tokka chidamli. Harorat bardoshliligi 175°C gacha. Tez yoqish va o‘chirish vaqti: mos ravishda 0.25 mks va 0.37 mks. Yuqori chastotali qurilmalarda barqaror ishlashni ta’minlaydi. Quvvat — 230Vt gacha.

