GT50JR22 — Toshiba kompaniyasining kuchli IGBT tranzistori bo‘lib, induksion pechlar va kuch invertorlari uchun mo‘ljallangan. Tranzistor va teskari diod bitta korpusda joylashgan. Ish kuchlanishi — 600V gacha, maksimal tok — 50A.
Haroratga chidamliligi 175°C gacha, quvvat tarqatish qobiliyati — 230W.
50A tokda to‘yinganlik kuchlanishi — 1.65V.
Yoqish/o‘chirish vaqti — 0.25 mks / 0.37 mks.
To‘plamda 2 dona tranzistor mavjud.

