GT50JR22 tranzistori 600V 50A 230Vt TO-3P(N), 4 dona

• Turi: IGBT tranzistori

• Kanal turi: N-kanal

• Maksimal kollektor-emitter kuchlanishi (V_CE): 600V

• Maksimal kollektor toki (I_C): 50A

• Quvvat tarqatish: 230Vt

• Korpus: TO-3P(N)

• Ichki teskari diodga ega

• Maksimal o‘tish harorati: 175°C

• Qo‘llanilishi: induksion pechlar, quvvat inverterlari​

GT50JR22 — bu Toshiba kompaniyasining yuqori samarali N-kanalli IGBT tranzistori. Quyidagi xususiyatlarga ega:

• Maksimal kollektor-emitter kuchlanishi: 600V
• Maksimal kollektor toki: 50A
• Quvvat tarqatish: 230Vt
• Korpus: TO-3P(N)
• Ichki teskari diodga ega
• Tez o‘chirish/yoqish va past to‘yinganlik kuchlanishi Induksion pechlar, quvvat inverterlari va boshqa yuqori chastotali kommutatsiya qurilmalari uchun ideal tanlov.​