GT50JR22 tranzistori 600V 50A 230Vt TO-3P(N), 1 dona

• Turi: IGBT tranzistori

• Kanal turi: N-kanal

• Maksimal kuchlanish (V_CE): 600V

• Maksimal kollektor toki (I_C): 50A

• 50A da to‘yinganlik kuchlanishi: 1.65V

• Yoqish/o‘chirish vaqti: 0.25 mks / 0.37 mks

• Quvvat tarqatish: 230Vt

• Korpus: TO-3P(N)

• Harorat diapazoni: 175°C gacha

• Qo‘llanilishi: induksion pechlar, quvvat inverterlari

GT50JR22 — bu Toshiba kompaniyasining kuchli va ishonchli N-kanalli IGBT tranzistori bo‘lib, yuqori chastotali kommutatsiya qurilmalari uchun moslashtirilgan. Induksion pechlar va quvvat inverterlarida qo‘llash uchun juda qulay. U 175°C gacha bo‘lgan haroratga bardosh beradi, qisqa vaqt ichida yoqiladi/o‘chadi va ichki teskari diodga ega.