IGBT tranzistori 50T65FD1 SGT50T65FD1PN TO-3P, 4 dona

• Turi: IGBT tranzistori

• Model: 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN)

• Korpus: TO-3P

• Holati: Yangi

• Ishlab chiqarilgan joyi: Xitoy

• Qadoqlash turi: O‘tkazuvchi teshik (Through Hole)

• Buyurtmaga binoan tayyorlanadi: Ha

• To‘plamdagi miqdor: 4 dona

• Qo‘llanilishi: invertorlar, quvvat bloklari, payvandlash moslamalari

• Og‘irligi (1 dona): ~7 g

50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) IGBT tranzistori — kuchli elektron qurilmalarda ishlatish uchun mo‘ljallangan ishonchli yarim o‘tkazgichli element. U issiqlikka chidamli TO-3P korpusida tayyorlangan bo‘lib, invertorlar, quvvat manbalari, payvandlash qurilmalari va sanoat elektronikasi uchun juda mos keladi. Yuqori o‘tkazuvchanlik va samarali issiqlik tarqalishi tufayli bu tranzistor katta yuklama ostida ham barqaror ishlaydi.