• Turi: IGBT tranzistori
• Model: SGT50T65FD1PN
• Korpus: TO-3P
• Holati: Yangi
• Qadoqlash turi: O‘tkazuvchi teshik (Through Hole)
• Buyurtmaga ko‘ra ishlab chiqarish: Ha
• To‘plamdagi miqdori: 2 dona
• Qo‘llanilishi: invertorlar, quvvat bloklari, payvandlash uskunalari
50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) IGBT tranzistori kuchli yarim o‘tkazgichli element bo‘lib, yuqori chastotali invertorlar, payvandlash moslamalari va impulsli quvvat manbalari uchun mo‘ljallangan. TO-3P korpusi yaxshi issiqlik tarqalishini ta'minlaydi va o‘rnatish uchun qulay. Individual ishlanmalar va professional maqsadlar uchun mos keladi.

