Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR3 1600 МГц, SODIMM для ноутбука

• Объем памяти: 8 ГБ

• Тип: DDR3 SoDIMM

• Назначение: Для Ноутбуков

• Тактовая частота: 1600 МГц

Оперативная память (англ. Random Access Memory, RAM — память с произвольным доступом) — в большинстве случаев энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код (программы), а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — техническое устройство, реализующее функции оперативной памяти. ОЗУ может изготавливаться как отдельный внешний модуль или располагаться на одном кристалле с процессором, например, в однокристальных ЭВМ или однокристальных микроконтроллерах.

Обмен данными между процессором и оперативной памятью производится как непосредственно, так и через сверхбыструю память нулевого уровня либо, при наличии аппаратного кэша процессора, — через кэш.

Содержащиеся в полупроводниковой оперативной памяти данные доступны и сохраняются только тогда, когда на модули памяти подаётся напряжение. Выключение питания оперативной памяти, даже кратковременное, приводит к потере хранимой информации.

Подробные характеристики

Производитель Kingston

Тип DDR3

Объем одного модуля 8 ГБ

Тактовая частота 1600 МГц

Форм-фактор SODIMM

Количество модулей в комплекте 1 шт.

Характеристики

Тип

DDR3

Форм-фактор

SODIMM

Количество модулей в комплекте

1 шт.

Объем одного модуля

8 ГБ

Тактовая частота

1600 МГц

Напряжение питания

1.5 В

Совместимость

KVR16S11/8

Дополнительная информация

Характеристики Kingston KVR16S11/8WP Артикул производителя (Part Number) KVR16S11/8 Линейка Value RAM Основные характеристики Стандарт DDR3 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 16 шт Количество контактов 204 Количество ранков 2 Тайминги CAS Latency (CL) CL11 11-11-11-28 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 Дополнительные характеристики Напряжение питания 1.5 В Максимальная выделяемая мощность 3 Вт Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C Расширенная операционная температура (Tcase) 95 °C Компоновка чипов на модуле Двусторонняя Радиатор Нет Габариты 67.6 x 30 мм

Дополнительно

Срок службы 2 г.

Гарантийный срок 6 мес.