IGBT транзистор G50T65D, 650В, 50А, 280Вт, TO-3P, 1 шт

• Тип: IGBT транзистор

• Производитель: WXDH

• Максимальное напряжение (V_CE): 650 В

• Максимальный ток коллектора (I_C): 50 А

• Мощность рассеивания: 280 Вт

• Тип корпуса: TO-3P

• Вес: 7 г

• Количество: 1 шт

• Применение: сварочные инверторы, импульсные блоки питания, преобразователи

• IGBT транзистор G50T65D производства WXDH предназначен для высоковольтных и высокотоковых применений. Он может работать при напряжении до 650 В и токе до 50 А, обеспечивая стабильную работу в импульсных источниках питания, сварочных инверторах и других силовых устройствах. Корпус TO-3P обеспечивает надёжное теплоотведение. Компактный и лёгкий (вес всего 7 г), транзистор рассчитан на мощность рассеивания до 280 Вт, что делает его идеальным решением для интенсивных условий эксплуатации.