IGBT транзистор 50T65FD1 SGT50T65FD1PN TO-3P, 4 шт

• Тип: IGBT транзистор

• Модель: 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN)

• Корпус: TO-3P

• Состояние: Новый

• Происхождение: Китай

• Тип упаковки: Сквозное отверстие (Through Hole)

• Индивидуальное изготовление: Да

• Количество в комплекте: 4 шт

• Применение: инверторы, блоки питания, сварочные аппараты

• Вес одного элемента: ~7 г

IGBT транзистор 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) — это надёжный силовой полупроводниковый элемент, предназначенный для использования в высокочастотных и мощных электронных устройствах. Он выполнен в термостойком корпусе TO-3P и отлично подходит для инверторов, источников питания, сварочных аппаратов и прочей промышленной электроники. Благодаря высокой пропускной способности и эффективному теплоотводу, устройство обеспечивает стабильную работу при больших нагрузках.