IGBT транзисторы GT50JR22 от Toshiba идеально подходят для работы в индукционных печах и силовых инверторах. Устройство сочетает IGBT-транзистор и обратный диод в одном корпусе TO-3, выдерживает рабочее напряжение до 600 В и ток до 50 А. Отличается высокой допустимой температурой перехода до 175°C и быстрой скоростью переключения (включение — 0.25 мкс, выключение — 0.37 мкс). Обеспечивает стабильную работу в схемах с высокой частотой коммутации. Мощность рассеивания — до 230 Вт.

