GT50JR22 — IGBT-транзисторы от Toshiba, предназначенные для применения в индукционных печах и силовых инверторах. Объединяют в одном корпусе транзистор и обратный диод. Рабочее напряжение — до 600 В, максимальный ток — 50 А.
Максимальная температура перехода — до 175°C, рассеиваемая мощность — 230 Вт.
Напряжение насыщения при 50 А — около 1,65 В.
Время включения/выключения — 0,25 мкс / 0,37 мкс.
Комплект содержит 2 штуки.

