Транзистор GT50JR22 600В 50А 230Вт TO-3P(N), 4 шт

• Тип: IGBT транзистор

• Тип канала: N-канал

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CE): 600 В

• Максимальный ток коллектора (I_C): 50 А

• Мощность рассеивания: 230 Вт

• Корпус: TO-3P(N)

• Встроенный обратный диод

• Максимальная температура перехода: 175°C

• Применение: индукционные печи, силовые инверторы

GT50JR22 — это высокоэффективный N-канальный IGBT транзистор от компании Toshiba. Он обладает следующими характеристиками:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
• Максимальный ток коллектора: 50 А
• Мощность рассеивания: 230 Вт
• Корпус: TO-3P(N)
• Встроенный обратный диод
• Быстрое переключение и низкое насыщенное напряжение Идеально подходит для использования в индукционных печах, силовых инверторах и других высокочастотных коммутационных устройствах