Транзистор GT50JR22 600В 50А 230Вт TO-3P(N), 1 шт

• Тип: IGBT транзистор

• Тип канала: N-канал

• Максимальное напряжение (V_CE): 600 В

• Максимальный ток коллектора (I_C): 50 А

• Напряжение насыщения при 50 А: 1.65 В

• Время включения/выключения: 0.25 мкс / 0.37 мкс

• Мощность рассеивания: 230 Вт

• Корпус: TO-3P(N)

• Температурный диапазон: до 175°C

• Применение: индукционные печи, силовые инверторы

GT50JR22 — это мощный и надежный N-канальный IGBT транзистор от Toshiba, оптимизированный для работы в условиях высокочастотной коммутации. Подходит для индукционных печей и силовых инверторов. Обладает высокой допустимой температурой перехода до 175°C, малым временем включения и выключения и встроенным обратным диодом.